积分区域的导数

通过将微分形式“拉回”处理积分区域的导数,并据此推导了连续介质力学中的连续性方程和磁冻结定理。

连续介质力学中经常需要考虑张量场在物质体 𝑉𝑡 或物质面 Σ𝑡 上的积分,例如推导连续性方程需要考虑 (d/d𝑡)𝑉𝑡d𝑉𝜌, MHD中证明磁冻结需要考虑 (d/d𝑡)Σ𝑡d𝚺𝑩. 然而,在Euler观点下,作为物质对象,𝑉𝑡Σ𝑡 都是随时间变化的,求导时它们也有贡献。通过换元将积分变量(Euler坐标)换成Lagrange坐标,可以将积分区域的变化转移到被积函数中,从而只需要考虑被积函数的导数——“换元”实际上就是微分形式的拉回,上述做法可以用微分几何的语言清晰地写出。

微分几何复习

Eq. (1)

𝜑:𝑀𝑁,𝑝𝜑(𝑝)

为光滑流形间的映射。这一映射自然地诱导出切空间之间的 push forward

Eq. (2)

𝜑:𝑇𝑝𝑀𝑇𝜑(𝑝)𝑁,𝑣𝜑𝑣,

其中 (𝜑𝑣)(𝑓)𝑣(𝑓𝜑),𝑓ℱ︀(𝑁). 这一 push forward 进而自然地诱导出余切空间之间的 pull back

Eq. (3)

𝜑:𝑇𝜑(𝑝)𝑁𝑇𝑝𝑀,𝜔𝜑𝜔,

其中(𝜑𝜔)(𝑣)𝜔(𝜑𝑣),𝑣𝑇𝑝𝑀. 更高阶张量之间的推拉可以类似地定义。

坐标形式

𝑝𝑀 附近有局部坐标 {𝜉𝜇},𝑣=𝑣𝜇𝜕/(𝜕𝜉𝜇),𝜑(𝑝)𝑁 附近有局部坐标 {𝑥𝜈},𝜔=𝜔𝜇d𝑥𝜇; 映射𝜑 的坐标表示为 𝑥𝜇=𝑥𝜇(𝜉𝜈). 可以写出 𝜑𝑣𝜑𝜔 在局部坐标下的形式:

Eq. (4)

(𝜑𝑣)(𝑓)=𝑣𝜇𝜕(𝑓𝜑)𝜕𝜉𝜇=𝑣𝜇𝜕𝑓𝜕𝑥𝜈𝜕𝑥𝜈𝜕𝜉𝜇𝜑𝑣=𝑣𝜇𝜕𝑥𝜈𝜕𝜉𝜇𝜕𝜕𝑥𝜈;(𝜑𝜔)(𝑣)=𝜔𝜈d𝑥𝜈(𝑣𝜇𝜕𝑥𝜎𝜕𝜉𝜇𝜕𝜕𝑥𝜎)=𝑣𝜇𝜔𝜈𝜕𝑥𝜎𝜕𝜉𝜇𝛿𝜎𝜈=𝑣𝜇𝜔𝜈𝜕𝑥𝜈𝜕𝜉𝜇𝜑𝜔=𝜔𝜈𝜕𝑥𝜈𝜕𝜉𝜇d𝜉𝜇.

对于次数更高的微分形式,例如 3 形式,类似地有

Eq. (5)

𝜑𝜔=𝜔𝜈1𝜈2𝜈3𝜕𝑥𝜈1𝜕𝜉𝜇1𝜕𝑥𝜈2𝜕𝜉𝜇2𝜕𝑥𝜈3𝜕𝜉𝜇3d𝜉𝜇1d𝜉𝜇2d𝜉𝜇3.

可见,所谓的“推拉”,其形式与坐标变换相同——只不过坐标变换是在单个流形上进行的,推拉是在两个流形之间;如果𝜑是微分同胚,则推拉实际上就是坐标变换。

Theorem: 设 𝜑:𝑀𝑁 为保定向的微分同胚,则

Eq. (6)

𝑁𝜔=𝑀𝜑𝜔.

积分区域的导数

在连续介质力学的应用中,取

Eq. (7)

𝑀=𝑡时刻物质体所占的空间区域𝐾𝑡3,𝑁=𝑡+𝑠时刻物质体所占的空间区域𝐾𝑡+𝑠3,

连续介质在 𝑡+𝑠 时刻相对 𝑡 时刻的“变形”由映射

Eq. (8)

𝜑𝑠𝑡:𝐾𝑡𝐾𝑡+𝑠,(𝑥𝜇)(𝑥𝑠𝜇=𝑥𝑠𝜇(𝑥𝜈))

给出——由于 𝐾𝑡𝐾𝑡+𝑠 都是 3 的子集,局部坐标 𝑥𝑥𝑠 都可以整体地定义。假设 𝜑𝑠𝑡 是微分同胚,因而 𝜑𝑠𝑡 可以看成从Euler坐标 𝑥𝑠 到Lagrange坐标 𝑥 的坐标变换。
Eq. (6) 为我们对含参积分区域求导提供了方便:当需要对含参数 𝑠 的积分区域 𝐾𝑡+𝑠 求导时,可以通过微分同胚 𝜑𝑠𝑡:𝐾𝑡𝐾𝑡+𝑠 将原积分化为不依赖于参数 𝑠 的另一区域 𝐾𝑡 上的积分11 如果存在微分同胚 𝜑𝑡0:𝐾0𝐾𝑡, 则当然也可以直接拉回到 𝑡=0 时刻的区域 𝐾0 上积分。,从而将求导转移到被积的微分形式上22 由于积分对被积形式和积分区域都是线性的——积分是积分区域与被积形式之间的双线性配对,有Leibniz律 d/d𝑠|𝑠=0𝐾𝑡+𝑠𝜔(𝑡+𝑠)=d/d𝑠|𝑠=0𝐾𝑡+𝑠𝜔(𝑡)+𝐾𝑡(𝜕𝜔(𝑡))/(𝜕𝑡). 不妨设𝜔不依赖于 𝑠,从而可以专注于积分区域改变的影响。

Eq. (9)

dd𝑠|𝑠=0𝐾𝑡+𝑠𝜔=dd𝑠|𝑠=0𝐾𝑡𝜑𝑠𝑡𝜔=𝐾𝑡dd𝑠|𝑠=0𝜑𝑠𝑡𝜔.

注意到 Lie 导数的定义 ℒ︀𝑋𝜔=d𝜙𝑠𝜔/d𝑠|𝑠=0(其中 {𝜙𝑠}𝑠 是由矢量场 𝑋 生成的(局部)单参微分同胚群)与上式的类似性,我们自然希望能将 𝜑𝑠𝑡 看成某个矢量场的以 𝑠 为参数的积分曲线(从而 d𝜙𝑠𝜔/d𝑠|𝑠=0 就是 𝜔 关于该矢量场的 Lie 导数)。于是我们定义一个矢量场 𝑣𝑡𝒳︀(𝐾𝑡):

Eq. (10)

𝑣𝑡(𝑝)dd𝑠|𝑠=0𝜑𝑠𝑡(𝑝),𝑝𝐾𝑡;

这实际上就是 𝑡 时刻位于 𝑝 处的物质点在该时刻的速度的定义。而后

Eq. (11)

dd𝑠|𝑠=0𝐾𝑡+𝑠𝜔=𝐾𝑡dd𝑠|𝑠=0𝜑𝑠𝑡𝜔𝐾𝑡ℒ︀𝑣𝑡𝜔=Cartan's magic formula𝐾𝑡(𝑖𝑣𝑡d+d𝑖𝑣𝑡)𝜔=Stokes' theorem𝐾𝑡𝑖𝑣𝑡d𝜔+𝜕𝐾𝑡𝑖𝑣𝑡𝜔,

其中 𝑖𝑋 是内乘

Eq. (12)

(𝑖𝑋𝜔)(𝑌1,𝑌2,,𝑌𝑛1)𝜔(𝑋,𝑌1,𝑌2,,𝑌𝑛1),

d 是外微分:设 𝑋=𝑋𝜇𝜕/(𝜕𝑥𝜇),𝜔=1/𝑛!𝜔𝜇1𝜇2𝜇𝑛d𝑥𝜇1d𝑥𝜇2d𝑥𝜇𝑛,

Eq. (13)

𝑖𝑋𝜔=1(𝑛1)!𝑋𝜇𝜔𝜇𝜇2𝜇3𝜇𝑛d𝑥𝜇2d𝑥𝜇3d𝑥𝜇𝑛,d𝜔=1𝑛!𝜕𝜔𝜇1𝜇2𝜇𝑛𝜕𝑥𝜈d𝑥𝜈d𝑥𝜇1d𝑥𝜇2d𝑥𝜇𝑛.

如果考虑被积形式也随参数变化,则以下公式成立

Eq. (14)

dd𝑡𝐾𝑡𝜔(𝑡)=𝐾𝑡(𝜕𝜔(𝑡)𝜕𝑡+ℒ︀𝑣𝑡𝜔(𝑡))=𝐾𝑡(𝜕𝜔(𝑡)𝜕𝑡+𝑖𝑣𝑡d𝜔(𝑡))+𝜕𝐾𝑡𝑖𝑣𝑡𝜔(𝑡).

Question: 能否用 4 维 Lie 导数表达上述公式?

在连续介质力学中的应用

连续性方程

Eq. (15)

𝜔(𝑡)=𝜌(𝑡)𝜀,

其中 𝜀=det(𝑔𝑖𝑗(𝑥))d𝑥1d𝑥2d𝑥3 是体元。由散度的定义 ℒ︀𝑋𝜀div(𝑋)𝜀,

Eq. (16)

dd𝑡𝐾𝑡𝜌(𝑡)𝜀=𝐾𝑡(𝜕𝜌(𝑡)𝜕𝑡+𝑣𝑡(𝜌(𝑡))+𝜌(𝑡)div(𝑣𝑡))𝜀.

改用通常的写法,上式即为

Eq. (17)

dd𝑡𝐾𝑡𝜌d𝑉=𝐾𝑡(𝜕𝜌𝜕𝑡+𝒗𝜌+𝜌𝒗)d𝑉.


以上处理只是在 𝑡 时刻到 𝑡+𝑠 时刻的时间段内采用了Lagrange观点。更彻底的Lagrange观点应当是对任意时刻 𝑡, 都将积分拉回到最初的参考构型 (𝐾0,{𝜉𝜇}) 进行(假设微分同胚 𝜑𝑡0:𝐾0𝐾𝑡 存在):

Eq. (18)

𝐾𝑡𝜀=𝐾0𝜑𝑡0𝜀=𝐾0det(𝑔𝑖𝑗(𝜉))d𝜉1d𝜉2d𝜉3=𝐾0det((𝜑𝑡0𝑔)𝑖𝑗)d𝜉1d𝜉2d𝜉3,

利用行列式求导公式和度量的 Lie 导数公式,可以直接求出

Eq. (19)

dd𝑡𝐾𝑡𝜀=𝐾0div(𝑣𝑡)det(𝑔𝑖𝑗(𝜉))d𝜉1d𝜉2d𝜉3.

磁冻结定理

Eq. (20)

𝜔(𝑡)=d𝚺𝑩𝑡=12𝜀𝑖𝑗𝑘𝐵𝑡𝑘d𝑥𝑖d𝑥𝑗=𝑖𝐵𝑡𝜀.

注意到

Eq. (21)

d(𝑖𝐵𝑡𝜀)=ℒ︀𝐵𝑡𝜀=div(𝐵𝑡)𝜀,𝑖𝑣𝑡𝜀=d𝚺𝒗𝑡,𝑖𝑣𝑡(12𝜀𝑖𝑗𝑘𝐵𝑡𝑘d𝑥𝑖d𝑥𝑗)=𝜀𝑖𝑗𝑘𝑣𝑡𝑖𝐵𝑡𝑘d𝑥𝑗=(𝑩𝑡×𝒗𝑡)d𝒍,

Eq. (14) 给出(用通常的写法)

Eq. (22)

dd𝑡Σ𝑡d𝚺𝑩=Σ𝑡d𝚺(𝜕𝑩𝜕𝑡+𝒗div(𝑩))+𝜕Σ𝑡(𝑩×𝒗)d𝒍.

如果 𝑩 是磁场,则 div(𝑩)=0, 上式成为

Eq. (23)

dd𝑡Σ𝑡d𝚺𝑩=Σ𝑡d𝚺(𝜕𝑩𝜕𝑡×(𝒗×𝑩)).


也可以考虑微分形式 𝜔(𝑡)=d𝒍𝑨𝑡=𝐴𝑡𝑖d𝑥𝑖 在物质线 𝐶𝑡 上的积分的导数:

Eq. (24)

d𝜔(𝑡)=𝜕𝑗𝐴𝑡𝑖d𝑥𝑗d𝑥𝑖,𝑖𝑣𝑡d𝜔(𝑡)=𝑣𝑡𝑗𝜕𝑗𝐴𝑡𝑖d𝑥𝑖𝑣𝑡𝑖𝜕𝑗𝐴𝑡𝑖d𝑥𝑗=𝑣𝑡𝑗(𝜕𝑗𝐴𝑡𝑖𝜕𝑖𝐴𝑡𝑗)d𝑥𝑖=(×𝑨𝑡)×𝒗𝑡d𝒍;𝑖𝑣𝑡𝜔(𝑡)=𝐴𝑡𝑖𝑣𝑡𝑖.

Eq. (14) 给出(用通常形式)

Eq. (25)

dd𝑡𝐶𝑡d𝒍𝑨=𝐶𝑡(𝜕𝑨𝜕𝑡+(×𝑨)×𝒗)+𝜕𝐶𝑡𝑨𝒗,

其中 𝜕𝐶𝑡 就是两个点。若 𝐶𝑡Σ𝑡 的边界(因而是闭合曲线),𝑨 为矢势,则上式给出

Eq. (26)

dd𝑡Σ𝑡d𝚺𝑩=dd𝑡𝐶𝑡d𝒍𝑨=𝐶𝑡d𝒍(𝜕𝑨𝜕𝑡𝒗×𝑩)=Σ𝑡d𝚺(𝜕𝑩𝜕𝑡×(𝒗×𝑩)).


磁冻结定理用 4 维形式证明起来更直接[4]:设 𝑈=𝑈𝜇𝜕/(𝜕𝑥𝜇) 为4速,𝐹=1/2𝐹𝜇𝜈d𝑥𝜇d𝑥𝜈 为电磁场张量,则由 𝑬+𝒗×𝑩=𝟎 知(注意 𝑈𝜇𝐹𝜇𝜈 是单位电荷所受的 4 洛伦兹力)

Eq. (27)

ℒ︀𝑈𝐹=𝑖𝑈d𝐹+d(𝑖𝑈𝐹)=0+d(𝑈𝜇𝐹𝜇𝜈d𝑥𝜈)=0.

Question: 为什么四维形式这样写?

参考文献
[1] https://zhuanlan.zhihu.com/p/547766124.
[2] 梅加强. 流形与几何初步.
[3] 谢多夫. 连续介质力学(第一卷).
[4] Wald. Advanced Classical Electromagnetism.
[5] https://zhuanlan.zhihu.com/p/1901151820455321836